Prof. Dr. rer. nat. Michael Rüb
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Persönliches
- Name: Michael Ewald Rüb
- Jahrgang: 1968
- Geburtsort: Karlstadt/Main, Bayern
- verheiratet, zwei Kinder
Berufstätigkeit
- seit 2008: Professor an der Ernst-Abbe Hochschule Jena
Lehr- und Arbeitsgebiet „Physikintensive Technologien und Mikrostrukturierung“ - seit 2016: mi2-factory GmbH als Spin-off der EAH-Jena
- 1997/2008: Infineon Technologies Austria AG, Villach, Österreich
Technologieentwicklung Superjunction MOSFETs
Promotion
- 1997: Friedrich-Schiller-Universität Jena, Promotion zum Dr.rer.nat.
- 1995/1997: Wissenschaftlicher Mitarbeiter am Institut für Festkörperphysik der Friedrich-Schiller-Universität Jena, Lehrstuhl Prof. Dr. Witthuhn
- 1993/1996: „Associate“ des CERN in Genf, Schweiz Regelmäßige Strahlzeiten und Forschungsaufenthalte am Ionenseparator ISOLDE des CERN
- 1994/1995: Wissenschaftlicher Mitarbeiter am Physikalischen Institut der Universität Erlangen-Nürnberg
- 1994: Forschungsaufenthalt am „Institutio Naçional di Engenharia e Tecnologia Industrial“ INETI in Lissabon, Portugal
Studium
- 1994: Abschluß als Diplomphysiker; Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
- 1993: „Selected Summer Student“ am CERN in Genf, Schweiz
- 1990/1991: Studiensemester am Physics Department des Imperial College in London, Großbritannien
- 1988: Immatrikulation an der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg für den Diplomstudiengang Physik
Preise
- 2017 Forschungspreis der Ernst-Abbe Hochschule Jena
- 2013 Lehrpreis der Ernst-Abbe Hochschule Jena
- 1. Preis bei „Infineon Awards“ in der Kategorie, Inventors – Outstanding Single Patent (Miterfinder: Ahlers, Deboy, Strack, Weber)
Stand: 30.09.2009
Wissenschaftliche Veröffentlichungen
| Study on Estimation of Device Yield in Non-Epitaxial 4H-SiC Material Relating to Defect Densities Influencing Bipolar Degradation with XRT- Measurements; H. Jayaprakash, C. Csato, T. Erlbacher, C. Kranert, F. Krippendorf, P. Wimmer, C. Reimann, M. Rüb, ICSCRM 2022, Davos, Schweiz |
| Hochenergieionen-Tiefenstrukturierung von PMMA mittels Microdegrader - eine Vergleichsstudie; M. Gerold, T. Mueck, S. Akhmadaliev, T. Bischof, C. Csato, R. Koch, M. Kraus, F. Krippendorf, T. Maier, A. Zowalla, M. Rüb, Mikrosystemtechnik Kongress 2021, Ludwigsburg |
| Neuartige Methode zur ladungsunabhängigen Dosismessung bei Ionenimplantation T. Maier, S. Akhmadaliev, T. Bischof, C. Csato, M. Gerold, R. Koch, M. Kraus, F. Krippendorf, A. Zowalla, M.Rüb, Mikrosystemtechnik Kongress 2021, Ludwigsburg |
| Großflächige Energiefiltermembrane für die effektive Dotierung von Si- und SiC-Substraten mittels Hochenergieimplantation, T. Steinbach, S.Akhmadaliev, J. Burghartz, C. Csato, M. Gerold, R. Koch, F. Krippendorf, F. Letzkus und M. Rüb, Mikrosystemtechnik Kongress 2021, Ludwigsburg |
| Large area Silicon-energy filters for ion implantation T. Steinbach, C. Csato, F. Krippendorf, F. Letzkus, M. Rüb, J.N. Burghartz; Microelectronic Engineering 222 (2020) 111203 |
| 4He irradiation of zircon, ZrSiO4, using a micro-patterned, Si-based energy filter, Lutz Nasdala, Shavkat Akhmadaliev, Chutimun Chanmuang N., Andre Zowall, Constantin, Csato, Michael Rüb, accepted for publication in NIM B, Volume 443, 15 March 2019, Pages 38-42 |
| High Energy Ion Implantation: Novel Approach on "as-implanted" Dose Control Concept, A.Guseva, S.Akhmadaliev, J.Bischoff, C.Csato, S.Illhardt, A.Zowalla and M.Rueb, IIT 2018, Würzburg, Germany |
| Impact of Al-Ion Implantation on the Formation of Deep Defects in n-Type 4H-SiC, J.Weisse, C.Csato, M.Hauck, J.Erlekampf, S.Akhmadaliev, M.Rommel, M.Rüb, H.Mitlehner, M.Krieger, A.Bauer, V.Häublein, L.Frey, T.Erlbacher, IIT 2018, Würzburg, Germany |
| 3-dimensional heavy ion induced SEE mapping of super-junction power MOSFETs, M. Gerold, A. Bergmaier, J. Reindl, G. Dollinger, M. Rüb, RADECS, Gothenburg, Sweden, Sept. 2018 |
| Radiation Hardness Testing of Super-Junction Power Mosfets by Heavy Ion Induced SEE Mapping, M. Gerold; A. Bergmaier; C. Greubel; J. Reindl; G. Dollinger; M. Rüb, 2018 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 16-19 July 2018, Singapore |
| Depth profiled ion implantation doping using an energy fillter based on Si membrane Shavkat Akhmadaliev, Florian Krippendorf, Erika Braga Diniz Bezerra, Johannes von Borany, Constantin Csato, Michael Rüb, André Zowalla, 12th European Conference on Accelerators in Applied Research and Technology, 2016 Jyväskylä, Finland |
| Dynamic Avalanche in Charge-Compensation MOSFETs Analyzed with the Novel Single Pulse EMMI-TLP Method, T.Chirila, M.Rüb, T.Reimann, IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Monterey, California, USA |
| Analysis of the role of the parasitic BJT of Super-Junction Power MOSFET under TLP stress, T. Chirilă, W. Kaindl, T. Reimann, M. Rüb, U. Wahl, 26th ESREF2015, Toulouse, Frankreich |
| R. Rupp, W. Schustereder, Tobias Höchbauer, Ronny Kern, Michael Rüb, Constantin Casato, Florian Krippendorf; Alternative highly homogenous drift layer doping for 650 V SiC devices; ICSCRM2015, Giardini Naxos, Italy, October 4 - 9, 2015 |
| F. Krippendorf, C. Csato, T. Höchbauer, M. Rüb, Dotierung von SiC mittels Energiefilter für Ionenimplantation, Mikrosystemtechnik Kongress 2015, Karlsruhe, Germany |
| Constantin Csato, Florian Krippendorf, Shavkat Akhmadaliev, Johannes von Borany, Weiqi Han, Thomas Siefke, Andre Zowalla, Michael Rüb, Energy filter for tailoring depth profiles in semiconductor doping application, Nucl. Instr. Meth. B (2015), Volume 365, Part A, 15 December 2015, Pages 182–186 dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.07.102 |
| Analysis of lateral energy distribution for passive ion beam scattering element — Weiqi Han, Constantin Csato, Florian Krippendorf, Michael Rüb, and Carsten Ronning, DPG Frühjahrstagung Dresden, March 2014 |
| Investigation of dopant profiles, losses and heating using an energy filter for ion implantation, Krippendorf, Csato, Rüb, DPG Frühjahrstagung Dresden, March 2014 |
| The Gap Between Research and Commerical Product in Applied Physics Research – An Issue for Sustainability and an Opportunity? Prof. Dr. Michael Rueb University of Applied Sciences Jena, 6th ICEBE International Conference on Engineering and Business Education, Windhoek, Namibia, 2013 |
| Energiefilter für Ionenimplantation, F. Krippendorf, C. Csato, T. Bischof, S. Gupta, W. Han, M. Nobst,C. Ronning, R. Rupp, A. Schewior, W. Wesch, W. Morgenroth, M. Rüb, Ernst-Abbe-Fachhochschule Jena, Mikrosystemtechnik Kongress, Aachen, 2013 |
| Energiefilter für Ionenimplantationsanlagen Idee- erste Experimente - Anwendung, C. Csato, T. Bischof, S. Gupta, W. Han, F. Krippendorf, W.Morgenroth, M. Nobst, C. Ronning, R. Rupp, A. Schewior, W. Wesch, M. Rüb, 12.06.2013, Workshop „Ionenstrahlen – Forschung und Anwendung“ 2013, Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung Leipzig |
| Dornbusch, Feller, Kindermann, Rüb, Schimmelpfennig, Kleine Messtechnik ganz GroßGIT Labor-Fachzeitschrift 4/2012, S. 218–219, WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, GIT VERLAG, Weinheim |
| H. Schulze, M. Buzzo, F. Niedernostheide, M. Rueb, H. Schulze and R. Job, Hydrogen-Related Donor Formation: Fabrication Techniques, Characterization, and Application to High-Voltage Superjunction Transistors,ECS - joint meeting 2006, Cancun, Mexico 2006 |
| M.Rüb, M.Bär, G.Deml, H.Kapels, M.Schmitt, S.Sedlmaier, C.Tolksdorf, A. Willmeroth, A 600V, 8.7Ohmmm² lateral superjunction transistor, ISPSD06, Naples, Italy, 9-4, 2006 |
| M. Buzzo, M.Ciappa, M.Rueb, W.Fichtner, Characterisation of unconventional engineering solution for superjunction devices, ISPSD06, Naples, Italy, 6-17 |
| M.Buzzo, M.Ciappa, M.Rüb, W.Fichtner, Characterisation of 2D Dopant Profiles for the Design of Proton Implanted High-Voltage Superjunction, Proc. of the 12th International Symp. on the Physics and Failure Analysis of Integrated Circuits, Singapore July 2006 |
| J.v.Borany, M.Friedrich, M.Rüb, G.Deboy, J.Butschke, F.Letzkus, “Application of ultra-high energy boron implantation for superjunction power (CoolMOS) devices”, 15th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT2004), Oct. 25-29, 2004, Taipei, Taiwan, ROC |
| M.Rüb, M.Bär, G.Deboy, F.J.Niedernostheide, M.Schmitt, H.J.Schulze, A.Willmeroth, 550V Superjunction 3.9Ohmmm² Transistor Formed by 25MeV Masked Boron Implantation, ISPSD04, Kitakyushu Japan, pp.455-458 |
| M.Rüb, M.Bär, F.J.Niedernostheide, M.Schmitt, H.J.Schulze, A.Willmeroth, First Study on Superjunction High-Voltage Transistor with N-Columns Formed by Proton Implantation and Annealing, ISPSD04, Kitakyushu Japan, pp.181-184 |
| J. Meijer, B.Burchard, K.Ivanova, B.E.Volland, I.Rangelow, M.Rüb, G. Deboy, High energy ion projection for deep ion implantation as a low cost, high throughput alternative for subsequent epitaxy processes, Journal of Vacuum Science & Technology B (Microelectronics and Nanometer Structures), 2004 |
| M.Rüb, D.Ahlers, J.Baumgartl, G.Deboy, W.Friza, O.Häberlen, I.Steinigke, A novel trench concept for the fabrication of compensation devices, ISPSD2003, ISPSD2003, Cambridge UK, pp. 203- 20 |
| Th.Licht, N.Achtziger, D.Forkel-Wirth, K.Freitag, J.Grillenberger, M.Kaltenhäuser, U.Reislöhner, M.Rüb, M. Uhrmacher, W. Witthuhn and ISOLDE Collaboration, Hafnium, Cadmium and Indium Impurities in 4H-SiC observed by Perturbed Angular Correlation Spectroscopy, Diamond and Related Materials 6 (1997) 1436-1439 |
| N.Achtziger, T.Licht, U.Reislöhner, M.Rüb, W.Witthuhn, Identification of transition metal levels in silicon by elemental transmutation, 23rd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Volume 4, ed. by M.Scheffler and R.Zimmermann, World Scientific Publishing, Singapore, 1996, pp.2717-2720 |
| O.Herre, W.Wesch, E.Wendler, T.Bachmann, F.Schrempel, N.Achtziger, T.Licht, J.Meier, U.Reislöhner, M.Rüb and W.Witthuhn, Damage production in GaAs during MeV ion implantation, Nucl. Instr. and Methods B120(1996)230-235 |
| M.Rüb, N.Achtziger, T.Licht, U.Reislöhner, W.Witthuhn, Investigation of defects in KTiOPO4 after indium implantation and diffusion, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 116(1996)502-506 |
| N.Achtziger, J.Bollmann, T.Licht, B.Reinhold, U.Reislöhner, M.Rüb, M.Uhrmacher, W.Witthuhn, and the ISOLDE Collaboration, Structural and electrical investigation of implantation damage annealing in CdTe, Semicond. Sci. Technol. 11(1996)947-951 |
| T.Licht, N.Achtziger, D.Forkel-Wirth, U.Reislöhner, M.Rüb, M.Uhrmacher, W.Witthuhn, Nitrogen-acceptor pairs in n-type 4H-silicon carbide observed by the perturbed angular correlation spectroscopy, nst. Phys. Conf. Ser. No. 142: Chapter 2, 1996 |
| U.Reislöhner, N.Achtziger, M.Rüb, W.Witthuhn, Complex formation at indium donors in p-CdTe, Journal of Crystal Growth 159(1996) 372-375 |
| U.Reislöhner, N.Achtziger, M.Rüb, M.Wienecke and W.Witthuhn, Combined PAC, C-V and DLTS measurements on p-CdTe, Sol. Stat. Commun. Vol. 93, No.5, Feb. 1995, pp.462-3 |
| D.Forkel-Wirth, N.Achtziger, A.Burchard, J.G.Correia, M.Deicher, T.Licht, R.Magerle, J.G.Marques, J.Meier, W.Pfeiffer, U.Reislöhner, M.Rüb, M.Toutlemonde, W.Witthuhn, Hydrogen Passivation of Cd Acceptors in III-V Semiconductors studied by PAC Spectroscopy, Solid State Communications, Vol. 93, No.5, pp.425-430, 1995 |
| D.Forkel-Wirth, N.Achtziger, A.Burchard, J.G.Correia, M.Deicher, T.Licht, R.Magerle, J.G.Marques, J.Meier, W.Pfeiffer, U.Reislöhner, M.Rüb, M.Toutlemonde, W.Witthuhn, Acceptor-Hydrogen Complexes in InAs, Mat. Sci. For. Vols.196-201, (1995), pp.963-8 |
| N.Achtziger, H.Gottschalk, T.Licht, J.Meier, M.Rüb, U.Reislöhner and W.Witthuhn, Recoil implantation of radioactive transition metals and their investigation in silicon by deep-level transient spectroscopy, Mat. Sci. For. Vols.196-201, (1995), pp.963-8 |
| D.Forkel-Wirth, N.Achtziger, A.Burchard, J.G.Correia, M.Deicher, T.Licht, R.Magerle, J.Meier, W.Pfeiffer, U.Reislöhner, M.Rüb, W.Witthuhn and the ISOLDE Collaboration, Interaction of Hydrogen with Cd acceptors in GaP and InP, „Semi-Insulating III-V Materials“, ed.: R. Godlewski, p.267, World Scientific, Singapore (1994) |
| M.Rüb, N.Achtziger, J.Meier, U.Reislöhner, P.Rudolph, M.Wienecke, W.Witthuhn, Complex formation in In- and Ag/Cu- doped CdTe, Journal of Crystal Growth 138(1994)285-289 |
Laufende Projekte
- DLR: LUNTE2, Vergleichende Laser- und Ionenbestrahlung zur Charakterisierung der SEE-Empfindlichkeit von Halbleiterbauelementen, FKZ: 50PS2105, Laufzeit: 1.4.2021 - 31.03.2024 (mit Prof. Voß, ET/IT)
- BMBF: Neuartige energiegefilterte Feldstopptechnologie für hochsperrende IGBT-Schalter, FKZ: 13FH698IX6, Laufzeit: 1.10.2018- 30.11.2023
Abgeschlossene Projekte
- TAB-Forschergruppe: MicroDot, FKZ 2019 FGR 0093, Laufzeit: 01.01.2020 - 30.06.2022 (mit Prof. Brunner)
- BMWE: EXIST Gründerstipendium – EFII – Energiefilter für die Dotierung von Siliziumkarbidwafern mittels Ionenimplantation“, FKZ: 03EGSTH085
- STIFT Thüringen: RET-Proxy, Projekt Nr. FH: 26304301, 01.01.2015 – 31.12.2017
- BMBF: LeiTransSol Leistungstransistoren für Solarumrichter, FKZ: 03FH024IX4, 01.09.2014 – 31.08.2018
- TMBWK: Graduiertenschule PhotoGrad, FKZ 13002-514, 01.03.2013 – 20.02.2016
- TMBWK: Moderne Optische Lithographie, FKZ: 13005-715
- BMBF: Energiefilter für Ionenimplantationsanlagen, FKZ: 17N0411, 01.09.2011 – 1.10.2014